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激光二极管------绿光LD铟氮化镓（InGaN）激光二极管可以直接制造出发射蓝光的激光二极管，但是很难制造出会直接发出绿光的激光二极管，尤其是人们认为是真正绿色的绿光：早期的绿色激光二极管通常具有轻微的青绿色投影。作为推行业发展**的无锡斯博睿科技有限公司，一直在推动长波长激光二极管的发展，现已推出基于InGaN的直接发射绿光的激光二极管，无锡激光二极管数量，波长从510到530纳米，无锡激光二极管数量，无锡激光二极管数量，可用于微型投影和其他红、绿、蓝（RGB）或绿色激光应用。激光二极管推荐哪家，选择无锡斯博睿科技有限公司。无锡激光二极管数量

    本发明涉及半导体发光二极管领域，尤其涉及一种激光二极管及其制作方法。背景技术：gan基的发光二极管和激光二极管已经取得了研究和市场应用；特别是在激光显示和激光投影，例如gan蓝色和绿色激光二极管(英文为laserdiode,简称ld)，激光二极管的结构主要是边发射脊波导结构。激光二极管采用边发射脊波导结构，需要在bar两端镀上分布式布拉格反射镜(distributedbraggreflection，dbr)制作法布里-珀罗(f-p)腔形成共振；常规腔面都是直角形状造成边角的dbr覆盖不好，应力大易破裂，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶，从而影响电性。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的至少在于提供一种激光二极管及其制作方法，旨在解决垂直腔面造成边角的dbr覆盖不好，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶，从而导致的ld电性不良。为实现上述目的及其他相关目的，本发明的一个实施方式提供一种激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：n型层，活性层，表面具有脊状条的p型层以及dbr覆盖层；所述脊状条的端面为斜面，所述脊状条与所述dbr覆盖层的接触面包括斜面。可选地，所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。可选地。无锡激光二极管数量无锡红光激光二极管选择哪家，推荐无锡斯博睿科技有限公司。

检测方法编辑 语音（1）阻值测量法：拆下激光二极管，用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向电阻值已**过50kΩ，则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于90kΩ，则说明该二极管已严重老化，不能再使用了。（2）电流测量法：用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降，再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值，当电流**过100mA时，若调节激光功率电位器，而电流无明显的变化，则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。

激光二极管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点，但它对过电流、过电压以及静电干扰较为敏感，因此，在使用时，要特别注意不要使其工作参数**过其比较大允许值，可采用的方法如下：(1)用直流恒流源驱动激光二极管。(2)在激光_极管电路上串联限流电阻器，并联旁路电容器。(3)由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值，因此，必须采用必要的散热措施，以保证器件工作在一定的温度范围之内。(4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏，可在其两端反并联上快速硅二极管。绍兴激光二极管厂家推荐哪家，选择无锡斯博睿科技有限公司。

    熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。须知，本说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，均用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“正面”、“背面”、“中间”及“一”等的用语，亦为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。如图1-2所示，本发明的一个实施例提供一种激光二极管，包括：衬底3，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：n型层4，多重**阱(英文multi-quantumwell,简称mqw)活性层5，表面具有脊状条2的p型层6以及dbr覆盖层8；所述脊状条的端面为斜面7，所述脊状条与所述dbr覆盖层的接触面包括斜面7。如图5所示，所述端面是所述脊状条沿长度(l1)方向上的两端的端面，斜面与脊状条2的宽边w1平行或所述脊状条的宽边位于所述斜面上。405nm蓝光激光二极管，无锡斯博睿科技有限公司一站式采购平台。无锡绿光激光二极管

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半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下：λ=hc/Eg⑴式中：h—普朗克常数；c—光速；Eg—半导体的禁带宽度。无锡激光二极管数量

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